RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2981
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link