RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
77
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
1688
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link