RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
81
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
81
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2904
1651
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link