RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
71
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2042
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link