RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
67
71
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
67
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2042
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link