RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2307
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link