RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
3200
Wokół strony 7.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
23400
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3758
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link