Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

38 60

Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.8 2,168.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 5300

Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

941 2451

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns