RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
60
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2451
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link