RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3929
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link