RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3847
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link