RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
50
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3010
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link