RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
60
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
3434
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link