RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
60
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
11.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2359
3434
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link