RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2855
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link