RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3596
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link