RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
4024
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link