RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
71
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
1757
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link