RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3191
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link