RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3508
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link