RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3474
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link