RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
96
Wokół strony -317% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2978
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link