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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
66
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3379
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
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