RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3379
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link