RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2913
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link