RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2913
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link