RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3337
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link