RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3337
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link