Comparação RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Pontuação geral

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 66

Por volta de 53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 13.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 13.2

Valor médio nos testes

Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Lista completa de especificações técnicas

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3649 2429

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns