RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сравнить
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB против A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
-->
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
66
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
66
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
13.9
Скорость записи, Гб/сек
15.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3649
2429
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link