RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
96
Por volta de -210% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3039
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905584-023.A00LF 4GB
Kingston 9905458-026.A00LF 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link