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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
96
Por volta de -191% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3341
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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