RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
96
Por volta de -405% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
19
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3435
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link