RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3178
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link