RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
47
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
47
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
11.2
Скорость записи, Гб/сек
6.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2362
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link