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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
47
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
47
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2362
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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