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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
2,909.8
17.3
写入速度,GB/s
1,519.2
13.2
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2648
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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Kingston XK2M26-MIE 16GB
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Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
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