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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,018.7
14.4
写入速度,GB/s
1,711.1
10.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2497
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS2GSDS800D2 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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