RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2497
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link