RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1654
2731
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link