RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1654
2731
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link