RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
94
Rund um -224% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3754
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link