RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
94
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2196
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link