RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
94
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
48
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2196
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link