RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
94
95
Rund um 1% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
95
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
1518
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link