RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
94
95
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
95
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1518
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link