RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
67
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2771
2042
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link