RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Compara
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
67
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
21
67
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2771
2042
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link