RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
52
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
8.1
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2354
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link