RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
66
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3305
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link